电子级铝蚀刻液
精密铝及铝合金蚀刻专用,配方成熟,性能稳定

产品描述
铝蚀刻液是半导体制造、平板显示(如LCD、OLED)、LED芯片以及其他精密电子元件生产中不可或缺的关键湿法化学品。它专门用于精确蚀刻铝 (Al) 及铝合金(如Al-Si, Al-Cu, Al-Si-Cu)薄膜,以形成预设的电路图案或电极结构。苏州圣天迈电子科技有限公司专注于研发和生产高纯度电子级铝蚀刻液,特别是基于特定酸性体系的混合蚀刻液,该体系因其稳定的蚀刻性能、良好的工艺控制性和广泛的行业应用而成为主流选择。
圣天迈的电子级铝蚀刻液通过精确调控关键蚀刻组分的配比及超纯水的含量,并辅以特定功能的添加剂,旨在实现理想的蚀刻特性。这些特性包括:可控且均匀的铝蚀刻速率,确保图形尺寸的精确性和批次间的一致性;对下层材料(如二氧化硅 SiO₂、氮化硅 SiNₓ)和光刻胶掩膜的高选择性,防止过度蚀刻和损伤;蚀刻后铝表面光滑、无残留,有利于后续工艺的进行;以及低金属离子和颗粒物含量,满足半导体和显示行业对超净化学品的严苛要求。
我们深知铝蚀刻工艺的稳定性和可靠性对于器件性能和生产良率至关重要。因此,圣天迈不仅提供标准配方的铝蚀刻液,还可根据客户在蚀刻速率、选择性、兼容性以及特定铝合金类型等方面的特殊需求,提供定制化的配方开发和技术支持服务。欢迎联系我们,获取更详细的产品信息和专业解决方案。
主要应用
- 半导体集成电路 (IC) 制造: - 铝互连线 (Al Interconnects) 图形化蚀刻 - 铝焊盘 (Al Bond Pads) 开窗及清洁 - 特定铝合金 (如Al-Si, Al-Cu) 层蚀刻
- 平板显示 (FPD - LCD/OLED) 制造: - 薄膜晶体管 (TFT) 的栅极 (Gate) 电极蚀刻 - TFT的源极 (Source) / 漏极 (Drain) 电极蚀刻 (常用铝合金如AlNd) - 显示面板中其他铝导线或反射层蚀刻
- LED与光电器件制造: - LED芯片的P型或N型电极引出层 (常用铝或铝银合金) 图形化 - 光电传感器中的铝电极或图形层加工
- 微机电系统 (MEMS) 制造: - MEMS器件中的铝结构层或牺牲层精密蚀刻
- 精密金属零件与表面处理: - 特定铝制精密零件的化学铣切与图案化 - 铝表面清洁与轻微蚀刻处理
产品特点
- 成熟蚀刻体系: - 基于广泛验证的酸性混合物体系,性能稳定可靠,工艺窗口宽。
- 蚀刻速率可控: - 通过调整配方和工艺温度,可以实现对铝及铝合金薄膜蚀刻速率的精确控制。
- 高选择性: - 对常见的掩膜材料(如光刻胶)和下层介质(如SiO₂, SiNₓ)具有优良的蚀刻选择性。
- 优良的表面形貌: - 蚀刻后的铝表面光滑,边缘陡直,无明显残留物,有利于提高器件可靠性。
- 超高纯度: - 严格控制金属离子(如Na+, K+, Fe³⁺等)和颗粒物含量,满足电子级标准。
- 配方灵活可调: - 可根据客户对铝蚀刻速率、选择性、表面粗糙度等的具体要求,调整关键蚀刻组分的比例。
- 良好的工艺兼容性: - 与标准的半导体及显示面板制造工艺流程兼容。
- 圣天迈专业支持: - 提供技术咨询、配方优化及定制化服务,协助客户解决铝蚀刻工艺挑战。
规格参数
- 产品名称: 电子级铝蚀刻液
- 英文名称: Aluminum Etchant (Electronic Grade)
- 产品体系: 特定酸性混合物体系
- 主要成分: 铝蚀刻液核心组分、超纯水 (具体配方可根据需求调整)
- 外观: 无色至微黄色澄清透明液体
- 铝蚀刻速率 (@特定温度): 可调范围 (例如 300-10000 Å/min,具体视配方和工艺条件)
- 对SiO₂选择比: 通常 > 50:1 (具体数值与配方相关)
- 金属离子含量 (总计): 根据SEMI等级控制 (例如 ≤ 50 ppb 或更低)
- 颗粒控制 (≥0.5µm): 根据SEMI等级控制 (例如 ≤ 20 counts/mL 或更低)
- 适用铝合金类型: 纯铝, Al-Si (铝硅合金), Al-Cu (铝铜合金), Al-Si-Cu 等
- 推荐工作温度: 通常 30°C - 70°C (请参考具体产品TDS)
- 包装规格: 25L/200L 高纯HDPE桶, IBC吨桶, 或按需定制