电子级BOE蚀刻液 (Buffered Oxide Etchant)

产品描述

BOE（Buffered Oxide Etchant），即缓冲氧化物蚀刻液，是半导体集成电路 (IC)、微机电系统 (MEMS) 和平板显示 (FPD) 等电子制造领域中，用于精确蚀刻二氧化硅 (SiO₂) 薄膜的关键湿法化学品。圣天迈电子科技有限公司专注于提供超净高纯度的电子级BOE蚀刻液，其核心组分为精确配比的氟化物蚀刻成分。氟化物在此体系中起到缓冲作用，稳定溶液pH值，从而实现高度可控、稳定的SiO₂蚀刻速率，并显著降低对光刻胶的侵蚀，保护图形精度。

我们的BOE产品严格控制金属离子（可达ppb甚至ppt级）和颗粒物（符合SEMI G4/G5或更高标准）含量，满足先进制程对化学品纯净度的严苛要求，是提升器件良率和可靠性的重要保障。圣天迈提供多种标准配比，蚀刻速率覆盖范围广，可满足不同应用场景对蚀刻速度和选择性的需求。部分型号可添加特殊表面活性剂，改善润湿性，确保在微小图形和高深宽比结构中获得均匀蚀刻效果。

圣天迈致力于提供高性能、高稳定性的BOE蚀刻解决方案，并可根据客户特定需求提供定制比例和技术支持。欢迎联系我们，获取详细产品规格、报价及样品信息。

主要应用

• 半导体集成电路 (IC) 制造: - 场氧化层 (LOCOS, STI) 开窗 - 栅氧化层 (Gate Oxide) 精确蚀刻 - 层间绝缘介质 (ILD, IMD - TEOS, PSG, BPSG) 图形化及过孔 (Via) 蚀刻 - 钝化层 (Passivation - SiO₂, SiNₓ/SiO₂) 焊盘 (Bond Pad) 开窗
• 微机电系统 (MEMS) 制造: - SiO₂结构层或绝缘层的图形化蚀刻 - SiO₂牺牲层 (Sacrificial Layer) 的选择性去除
• 晶圆处理: - 工艺前去除硅片表面自然氧化层 (Native Oxide) - 去除晶圆边缘或背面的多余氧化层
• 平板显示 (FPD) 制造: - TFT阵列基板中SiO₂栅绝缘层或钝化层的蚀刻
• 光伏/太阳能电池: - 硅片表面处理，如氧化层清洁
• 光学元件制造: - 石英、玻璃等光学材料的表面图形化或精密减薄

产品特点

• 蚀刻速率稳定可控: - 精确配比和温度控制，实现可预测、可重复的蚀刻速率。
• 高蚀刻选择性: - 对SiO₂高效蚀刻，同时对Si和SiNₓ等材料具良好选择比 (具体视配方而定)。
• 优异缓冲性能: - 稳定pH值有效减少对光刻胶的侵蚀，保护图形完整性。
• 超高纯度标准: - 金属离子含量可达ppt级，颗粒物控制严格，满足先进制程要求。
• 良好润湿性 (可选): - 添加表面活性剂的配方改善铺展性，提高微图形蚀刻均匀性。
• 配方灵活多样: - 提供从快速到慢速蚀刻的多种标准及定制配方。
• 高批次一致性: - 严格的质量控制确保不同批次产品性能高度一致。
• 低缺陷产生: - 超洁净化学品有助于减少因蚀刻过程引入的表面缺陷和颗粒污染。
• 圣天迈专业支持: - 提供技术咨询、配方推荐及定制化服务。