CMP抛光液 (Chemical Mechanical Polishing Slurry)

纳米级平坦化,助力先进电子制造与精密光学

产品描述

CMP (Chemical Mechanical Polishing/Planarization,化学机械抛光/平坦化) 抛光液是现代电子制造,特别是集成电路 (IC) 制造过程中不可或缺的关键材料。苏州圣天迈电子科技有限公司专注于研发和生产高品质、高性能的CMP抛光液,旨在为客户提供卓越的表面平坦化解决方案。随着芯片特征尺寸的不断缩小和多层布线技术的发展,晶圆表面的全局平坦化对于后续的光刻、薄膜沉积等工艺至关重要,直接影响到芯片的性能和良率。

圣天迈CMP抛光液系列产品,通过精确控制研磨颗粒(如纳米级二氧化硅、氧化铈、氧化铝等)的粒径分布、浓度、形貌,并结合优化的化学添加剂配方(包含pH调节剂、络合剂、表面活性剂、缓蚀剂等),能够在抛光过程中实现化学作用与机械研磨的完美平衡。这确保了对不同材料(如电介质层SiO₂、金属层W、Cu、Al,以及新兴的碳化硅SiC、氮化镓GaN等)的高效、高选择性去除,同时获得极低的表面粗糙度 (Ra < 1nm) 和最小化的表面缺陷(如划痕、碟形凹陷)。

我们不仅提供标准化的CMP抛光液产品,更能根据客户的具体应用场景、被抛光材料特性、工艺设备条件以及特定的平坦化目标(如去除速率、选择比、缺陷控制等)进行定制化开发。圣天迈致力于成为您在CMP工艺领域值得信赖的合作伙伴,通过持续的技术创新和专业的服务,助力您的产品达到更高的品质标准。欢迎联系我们获取详细的产品信息和技术支持。

主要应用

  • 半导体晶圆制造: - 浅沟槽隔离 (STI) 平坦化 - 层间电介质 (ILD) 平坦化 - 金属互连层平坦化 (如钨塞W Plug, 铜Damascene工艺) - 多晶硅 (Poly-Si) 栅极平坦化 - 硅片背面减薄后的应力去除与平坦化
  • 精密光学元件制造: - 光学玻璃、石英、蓝宝石等基底的超精密抛光 - 滤光片、透镜、棱镜等光学组件的表面处理
  • 硬盘驱动器 (HDD) 制造: - 磁盘基板(铝或玻璃)的平坦化 - 磁头的精密研磨与抛光
  • MEMS (微机电系统) 器件制造: - 微结构表面的平坦化与减薄
  • LED与化合物半导体: - 蓝宝石衬底 (PSS) 图形化后的平坦化 - GaN、SiC等宽禁带半导体材料的抛光
  • 先进封装: - 晶圆级封装 (WLP) 中的再布线层 (RDL) 平坦化 - TSV (硅通孔) 工艺中的铜柱平坦化

产品特点

  • 高平坦化效率: - 优化的颗粒与化学配方,实现卓越的全局和局部平坦化能力。
  • 精确的去除速率控制: - 针对不同材料提供可控的、稳定的材料去除速率 (RR)。
  • 高选择性: - 在多材料结构中,能选择性去除目标材料,同时保护其他材料层。
  • 低缺陷水平: - 严格控制研磨颗粒特性及配方,最大限度减少划痕、残留、腐蚀等表面缺陷。
  • 优良的自分散性与稳定性: - 抛光液具有良好的颗粒分散性,不易沉降或团聚,保质期长,使用稳定。
  • 广泛的材料适用性: - 提供针对氧化物、金属、多晶硅、化合物半导体等多种材料的抛光液。
  • 定制化服务: - 可根据客户特定工艺需求调整配方,优化性能。
  • 严格的质量控制: - 从原材料到成品的全程质量监控,确保产品批次间的一致性。

规格参数

  • 产品名称: CMP抛光液
  • 英文名称: Chemical Mechanical Polishing (CMP) Slurry
  • 研磨剂类型: 纳米级二氧化硅、氧化铝、氧化铈、金刚石等 (按需)
  • pH值: 酸性 / 中性 / 碱性 (依具体配方和应用)
  • 颗粒平均粒径 (D50): 20 nm - 500 nm (可定制)
  • 固体含量 (Solid Content): 1% - 50% w/w (可定制)
  • 纯度: 电子级,严格控制金属离子和杂质含量
  • 粘度: 根据配方调整,适应不同设备需求
  • 储存条件: 5°C - 30°C,避光密封保存
  • 兼容清洗液: 配套提供或推荐兼容的后CMP清洗液
  • 包装规格: 1L/5L HDPE瓶, 20L/200L HDPE桶, 1000L IBC吨桶, 或按需定制