高选择性ITO显影液 (ITO Developer)

圣天迈电子专供:用于平板显示(FPD)、触摸屏(TSP)制造中ITO透明导电膜光刻胶图形化的高效显影解决方案

产品描述

ITO显影液是现代电子制造业中不可或缺的关键化学品,特别设计用于平板显示器(FPD,如LCD、OLED)和触摸屏(TSP)的生产流程。其核心功能在于对覆盖在ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)透明导电薄膜上的光刻胶进行精确的图形化显影。ITO作为透明电极材料,广泛应用于各种显示和触控器件中。

由于ITO材料本身对某些化学物质(尤其是强碱性溶液)较为敏感,不当的显影过程可能导致ITO膜层被腐蚀或损伤,从而严重影响器件性能和成品率。因此,专业的ITO显影液通常采用温和且高选择性的化学体系,例如基于有机碱(如TMAH - 四甲基氢氧化铵)的配方或其他特殊定制的缓冲溶液体系。这些配方能够在有效去除曝光或未曝光光刻胶的同时,最大限度地减少对ITO薄膜本身以及下方基材(如玻璃、柔性PI膜等)的化学侵蚀和物理损伤。

圣天迈电子科技致力于为高端电子制造领域提供高纯度、高选择性的ITO显影液。我们的产品经过严格的质量控制,能够实现微米级高分辨率图形的精确转移,严格控制关键尺寸(CD)的均一性,并保证极低的金属离子残留(ppb/ppt级别)和微小颗粒物水平(可达G4/G5级别或更高标准)。这些特性对于提高FPD和TSP的生产良率、显示性能及长期可靠性至关重要。选择圣天迈ITO显影液,为您的精密制造保驾护航。

主要应用

  • 液晶显示器 (LCD) 及OLED面板制造: - TFT阵列制程中像素电极 (Pixel Electrode) 的ITO图形化光刻胶显影。 - 彩色滤光片 (Color Filter) 制程中公共电极 (Common Electrode) 的ITO图形化光刻胶显影。 - 其他需要在制造过程中保护ITO膜层不被损伤的光刻工序。
  • 触摸屏 (Touch Screen Panel, TSP) 制造: - 电容式触摸屏中ITO传感器 (Sensor Pattern) 的精密图形光刻胶显影。 - 触摸屏边框引线或其他导电层、功能层光刻胶显影(需评估具体兼容性)。
  • 太阳能电池 (Solar Cell) 制造: - 薄膜太阳能电池中透明导电氧化物 (TCO) 电极(如ITO, AZO)的图形化。
  • 其他光电子器件及传感器: - 各种需要在ITO或其他对化学品敏感的透明导电薄膜上进行精密光刻图形化的应用场景。 - 例如电子纸、某些类型的MEMS器件等。

产品特点

  • 卓越的高选择性: 对光刻胶具有高效的显影速率,同时对ITO薄膜的蚀刻速率极低(通常小于1 Å/min),有效保护ITO透明导电层的功能完整性。
  • 优异的高分辨率能力: 支持精细线路和复杂图形的精确显影,能够清晰再现微米级(µm)甚至亚微米级的特征尺寸,精确控制关键尺寸(CD)。
  • 出色的显影均匀性: 确保在大面积基板(如大尺寸显示面板玻璃)上实现高度均匀一致的显影效果,避免因显影不均导致的器件性能差异。
  • 超高纯度与极低污染: 严格控制产品中的金属离子含量(达到ppb或ppt级别)和微小颗粒物数量(符合G4/G5级或更高半导体行业标准),最大限度减少对敏感器件的污染和缺陷引入。
  • 稳定的批次间一致性: 圣天迈通过严格的生产过程控制和质量检测体系,保证不同批次ITO显影液产品性能的高度一致性,确保客户生产工艺的稳定可靠。
  • 广泛的工艺兼容性: 与平板显示和触摸屏制造中常用的各类正性光刻胶(Positive Photoresist)和部分负性光刻胶均有良好的兼容性。
  • 显影后表面洁净无残留: 显影后的ITO表面洁净,光刻胶残留少,易于后续的清洗(DI water rinse)工序,确保后续工艺步骤的顺利进行。
  • 较宽的工艺操作窗口: 对显影温度、显影时间、药液浓度等工艺参数具有一定的容忍度,便于现场工艺调试和稳定控制。
  • 环保考量与定制服务: 圣天迈可提供符合相关环保法规要求的产品,并可根据客户特定工艺需求提供定制化的ITO显影液配方服务。

规格参数 (典型TMAH基准,圣天迈可定制)

  • 产品品牌: 圣天迈 (STMai)
  • 产品名称: ITO显影液 (ITO Developer)
  • 外观: 无色透明液体
  • 主要化学成分: 四甲基氢氧化铵 (TMAH, Tetramethylammonium Hydroxide), 超纯水 (UPW), 特殊表面活性剂及添加剂。
  • 常用TMAH浓度 (wt%): 2.38% (标准品),亦可提供 0.5% - 5%范围内的定制浓度。
  • pH值 (典型2.38% TMAH): 约 12.5 - 13.5 (具体值视精确浓度和配方而定)。
  • 典型光刻胶显影速率: 根据光刻胶型号、预烘条件、曝光能量和显影温度而变化 (例如: 1000 - 5000 Å/秒)。
  • ITO薄膜蚀刻速率: 通常要求 < 1 Å/分钟 @ 23-25°C (越低越好,确保高选择比)。
  • 金属离子最大含量 (ppb):
    • Na, K, Ca, Mg, Fe, Cu, Ni, Cr, Zn, Al, Li 等: 通常要求各单项 < 10 ppb (部分高端应用要求 < 1 ppb 或ppt级别)。圣天迈可提供 ICP-MS 检测报告。
  • 颗粒控制水平 (最大允许颗粒数/mL, @指定粒径):
    • ≥0.1µm: < 50 (典型G5等级)
    • ≥0.2µm: < 20 (典型G5等级)
    • ≥0.5µm: < 10 (典型G5等级)
    • (可根据客户需求提供更高洁净度等级的产品)
  • 推荐工作温度范围: 20°C - 30°C (通常为室温显影)。
  • 过滤精度: 成品出厂前通常经过 0.05µm - 0.2µm 孔径的终端过滤。
  • 包装规格与材质: 5L/瓶, 20L/桶, 200L/桶。采用高纯度HDPE、PFA等耐腐蚀洁净包装材料。