电子级聚合物清洗剂 (Polymer Cleaner / Photoresist Stripper)

产品描述

圣天迈电子级聚合物清洗剂（亦称光刻胶去除剂）系列产品，是专为半导体制造（前道FEOL、后道BEOL及先进封装）、平板显示器（FPD）、微机电系统（MEMS）等高精尖电子产业领域而开发的关键工艺化学品。在这些复杂的制造流程中，光刻胶、抗反射涂层（BARC）、粘合剂、聚酰亚胺（PI）等有机聚合物扮演着重要角色。然而，在其完成特定工序使命后，这些聚合物及其衍生的残留物（如等离子刻蚀后的侧壁聚合物）必须被高效、彻底且安全地去除，任何残留都可能严重影响后续工艺的精确执行，进而损害器件的最终性能、良率及长期可靠性。

我们的聚合物清洗剂/光刻胶去除剂系列，基于先进的化学配方理念，提供包括NMP基、DMSO基、GBL基等传统强溶剂型，以及更环保安全的NMP-Free、TMAH-Free、半水基或全水基等多种选择。配方中科学复配了高效的剥离促进剂、特殊润湿剂及精密缓蚀剂组合，能够针对不同种类（正/负性光刻胶；I-line、G-line、KrF、ArF、EUV等不同曝光波长光刻胶；厚胶等）、不同处理状态（如烘烤后、离子注入后、等离子刻蚀后）的顽固光刻胶及聚合物残留，实现快速的溶解、充分的溶胀及彻底的剥离。我们高度关注产品对敏感材料的兼容性，确保在高效去除目标聚合物的同时，最大限度降低对硅（Si）、二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（SiN）、各种金属（如Al, Cu, W, Ti, Co）以及低介电常数（Low-K）材料的损伤。

主要应用

• 半导体前道（FEOL）工艺: - 等离子刻蚀后光刻胶及侧壁聚合物残留（Sidewall Polymer）去除。 - 离子注入后大剂量、高能量注入光刻胶的去除。 - 硬掩模剥离后的残留物清洁。
• 半导体后道（BEOL）工艺: - 铜（Cu）互连及铝（Al）互连工艺中的光刻胶去除。 - 与Low-K及Ultra Low-K介电材料兼容的聚合物清洗。 - 临时键合胶的解胶与清洗。
• 先进封装（Advanced Packaging）: - 晶圆级封装（WLP）中的光刻胶及聚酰亚胺（PI）去除。 - 凸点下金属层（UBM）及重布线层（RDL）工艺中的聚合物剥离。 - 临时键合胶、底部填充剂溢出物的清洗。
• 平板显示（FPD）制造: - TFT-LCD、OLED等显示面板制造过程中的光刻胶剥离。 - 彩色滤光膜（CF）、黑色矩阵（BM）工艺中的聚合物去除。
• MEMS及传感器制造: - 牺牲层（Sacrificial Layer）的去除。 - 结构层释放（Release Etch）过程中的聚合物清洗。
• LED及光电器件制造: - LED芯片制造过程中的光刻胶去除。 - 光学元件制造中保护性涂层或临时粘合剂的去除。

产品特点

• 高效剥离性能: - 对各类光刻胶（包括深紫外DUV胶、厚胶、负性胶）及烘烤后、刻蚀后、离子注入后的顽固聚合物残留具有优异的去除速率和彻底性。
• 广泛的材料兼容性: - 精心设计的配方可最大限度减少对敏感金属（如Al, Cu, W, Ti, Co, Ni）和介电材料（如SiO₂, SiN, Low-K/Ultra Low-K）的腐蚀或损伤。
• 高选择性与工艺窗口: - 在有效去除目标聚合物的同时，对基材具有高选择性；可在较宽的温度和时间范围内稳定工作，适应不同设备和工艺。
• 超高纯净度: - 严格控制金属离子含量（ppb级或更低）和颗粒数量，满足先进制程对纯度的苛刻要求。
• 安全与环保考量: - 提供高闪点、低挥发性、NMP-Free、TMAH-Free以及符合特定环保法规（如REACH）的配方选项。
• 优良的漂洗特性: - 清洗后易于用去离子水（DI water）或其他推荐溶剂漂洗干净，表面残留少，避免次生污染。
• 定制化解决方案: - 圣天迈拥有强大的研发能力，可根据客户特定的聚合物类型、基材组合、工艺流程及设备条件，开发和优化定制化的清洗剂配方。