电子级硅蚀刻液 (Silicon Etchant)

产品描述

苏州圣天迈电子科技有限公司提供系列高性能电子级硅（Si）蚀刻液，专为半导体集成电路（IC）、微机电系统（MEMS）、太阳能光伏电池以及其他先进电子器件制造中硅材料的湿法精密加工而开发。我们提供满足不同工艺需求的各向同性（Isotropic）和各向异性（Anisotropic）两大类硅蚀刻液解决方案。各向同性硅蚀刻液，通常基于特定酸性混合体系，能在硅的各个晶向上以相近速率进行蚀刻，适用于硅片表面清洁、抛光、损伤层去除及快速减薄等，其蚀刻速率和表面形貌可通过精确调控配方和工艺条件实现。

各向异性硅蚀刻液，则主要采用特定的碱性化学体系。这类蚀刻液利用单晶硅不同晶面之间显著的蚀刻速率差异，能够制造出具有特定角度和精密三维形貌的微结构，是MEMS器件（如传感器膜片、执行器悬臂梁、微流控通道）制造以及太阳能电池表面织构化的核心工艺。圣天迈所有硅蚀刻液产品均采用电子级高纯度原材料，并经过严格纯化工艺，以控制金属离子和颗粒物污染，确保卓越的工艺稳定性和器件性能。我们可根据客户对蚀刻速率、选择性、表面粗糙度及特定器件结构的具体需求，提供标准品或定制化的配方与技术服务。请联系我们获取更多解决方案。

主要应用

• 半导体器件制造: - 晶圆表面沾污及自然氧化层去除 - 晶圆边缘应力释放与轮廓修整 - 硅片背面减薄与研磨后损伤层去除 - 特定沟槽隔离 (Trench Isolation) 技术 - 硅通孔 (TSV) 形成工艺中的辅助蚀刻
• MEMS器件精密加工: - (各向异性) 压力传感器膜片、加速度计/陀螺仪悬臂梁制造 - (各向异性) 微流控芯片通道、喷墨打印头喷嘴阵列成型 - (各向同性) 特定结构释放前的快速材料去除与表面平滑化
• 太阳能光伏电池: - (各向异性) 单晶硅表面金字塔绒面织构化，增强光吸收效率 - 多晶硅表面处理及损伤层去除
• 硅基光学与光电子器件: - 硅基光栅、波导结构、V型槽等光学元件的成型
• 失效分析与样品制备: - 芯片开封后的逐层剥离或特定区域材料去除，用于显微观察与分析

产品特点

• 蚀刻类型多样: - 提供各向同性与各向异性全系列硅蚀刻解决方案，满足不同应用场景。
• 性能高度可控: - 蚀刻速率、选择性、表面粗糙度及各向异性比率均可通过配方和工艺参数精确调控。
• 对掩膜材料高选择性: - 针对常用的SiO₂和SiNₓ掩膜材料，可提供极高的蚀刻选择比，有效保护掩膜图案完整性。
• 优异形貌控制能力: - 各向同性蚀刻可获得平滑表面；各向异性蚀刻可精确形成特定晶面暴露的微结构和所需角度。
• 电子级超高纯度: - 严格控制金属离子（ppb级或更低）和颗粒物含量，符合最先进电子制造的洁净度要求。
• 高批次稳定性与可重复性: - 先进的生产工艺和质量控制体系确保圣天迈产品性能的高度一致。
• 广泛硅材料适用性: - 适用于不同晶向、掺杂类型（N型/P型）及浓度的单晶硅、多晶硅和非晶硅的蚀刻。
• 良好工艺兼容性: - 与标准半导体、MEMS制造设备及光刻等辅助工艺流程良好兼容。
• 专业配方定制: - 圣天迈可根据客户特定需求（如特定蚀刻深度、特殊硅材料、特定侧壁角度等）开发定制化硅蚀刻液配方。