蚀刻护岸剂 (Etching Sidewall Protection Agent / Additive)
提高蚀刻因子,保护侧壁,实现高精度湿法蚀刻图形

产品描述
蚀刻护岸剂,亦称侧壁保护剂或蚀刻添加剂,是湿法蚀刻工艺中用于提升图形精度的关键助剂。其主要作用是在蚀刻过程中,选择性地吸附或反应在已形成图形的侧壁上,形成一层临时的动态保护膜。
这层保护膜能有效抑制蚀刻液对侧壁的横向侵蚀(侧蚀,undercut),同时对垂直方向的蚀刻速率影响较小。通过显著降低侧蚀,护岸剂能够大幅提高蚀刻因子 (Etch Factor),即蚀刻深度与侧蚀宽度之比,从而获得更陡峭、更垂直的蚀刻轮廓,这对于制造高密度互连线路板 (HDI PCB)、先进封装基板、MEMS 器件以及精细金属图形至关重要。
圣天迈提供多种类型的电子级护岸剂,可能包含特定的表面活性剂、缓蚀剂、聚合物或其他有机/无机化合物,可兼容多种酸性(如氯化铜、氯化铁)和碱性蚀刻体系,并可根据客户的具体工艺需求进行定制。
主要应用
- 印制电路板 (PCB/FPC) 制造: - 高密度互连板 (HDI) 内外层精细线路蚀刻。 - 柔性电路板 (FPC) 高精度图形蚀刻。 - IC载板 (Substrate) 的超细线路蚀刻与图形控制。
- 半导体制造与封装: - 金属互连层(如铜、铝)的湿法蚀刻,提高尺寸精度。 - 引线框架 (Lead Frame) 图形化蚀刻。 - 金属掩膜版 (Metal Mask) 制作中的精密蚀刻。
- 微机电系统 (MEMS) 器件: - 精密金属电极、微执行器、微传感器等微结构的图形化蚀刻。
- 显示面板 (FPD) 制造: - TFT阵列中金属电极(如Al, Mo, Cu)的高精度图形化。 - ITO/IZO等透明导电膜的高精度图形蚀刻辅助。
- 精密金属加工: - 金属标牌、编码盘、精密弹片等精细图案的化学蚀刻。 - 装饰性金属件的艺术图案蚀刻。
- 光伏产业 (Solar Cell): - 太阳能电池电极的精细化图形蚀刻。
- 化学铣切 (Chemical Milling): - 复杂金属部件的减薄或特定形状加工。
- 其他电子元件制造: - 各类电子元器件中金属薄膜的精密图形化工艺。
产品特点
- 优异的侧壁保护: 显著减少横向蚀刻 (undercut),保护图形侧壁。
- 提高蚀刻因子: 大幅提升蚀刻深度与侧蚀宽度的比率,获得近乎垂直的蚀刻轮廓。
- 改善图形精度: 实现更精细的线条和间距,提高分辨率和良率。
- 广泛蚀刻液兼容性: 可用于多种酸性(如 CuCl₂, FeCl₃)及碱性(如氨性)蚀刻体系。
- 对垂直速率影响小: 主要抑制侧向蚀刻,不显著降低垂直蚀刻效率。
- 使用方便经济: 易于添加到现有蚀刻液中,通常添加量低 (0.1% - 2%),成本效益高。
- 改善基材润湿性: 部分配方可改善蚀刻液在基材表面的润湿与流动性。
- 增强工艺稳定性: 帮助获得更稳定的蚀刻结果和更宽的工艺窗口。
- 配方可定制: 可根据客户的蚀刻液类型、特定工艺条件和目标图形进行优化调整。
规格参数 (典型值,可定制)
- 外观: 无色至淡黄色或特定颜色液体
- 主要成分: 根据配方而定 (含特定表面活性剂、缓蚀剂、聚合物等)
- 活性物质含量: 5% - 30% (或根据型号提供)
- pH 值 (产品原液): 通常为中性或弱酸/碱性 (需确认具体产品)
- 密度 / 比重 (@20°C): 0.95 - 1.15 g/cm³ (典型范围)
- 推荐使用浓度: 0.1% - 2% (V/V,添加到蚀刻工作液中,需根据实际工艺调整)
- 适用酸性体系: CuCl₂, FeCl₃, H₂SO₄/H₂O₂, etc.
- 适用碱性体系: 氨性蚀刻液, etc.
- 金属离子含量 (Max): < 10 ppm (如适用,根据产品纯度要求)
- 保质期: 6 - 12 个月 (密封、避光、常温储存)
- 包装规格: 5L, 25L, 200L 桶 (或根据要求)