高效光刻胶去膜液 (Photoresist Stripper)
用于半导体、显示面板、PCB制造中光刻胶及临时保护膜的快速、安全剥离

产品描述
光刻胶去膜液(Photoresist Stripper),又称剥离液,是电子制造领域中湿法工艺流程中的关键化学品之一。其核心功能是高效且有选择性地去除在光刻、蚀刻或其他加工步骤中使用的各种正性或负性光刻胶、干膜、湿膜以及其他临时性保护涂层。成功的去膜工艺对于确保后续工序的洁净度和器件的最终性能至关重要。
圣天迈电子科技提供全面的去膜液解决方案,我们的产品系列根据化学体系和具体应用场景进行划分,主要包括:基于特定有机溶剂的体系、半水基体系以及特定无机化学体系。这些配方经过精心设计,旨在提供强大的剥离能力,同时最大限度地减少对敏感金属基材(如铜、铝、镍、金等)以及非金属基材(如硅片、玻璃、陶瓷、高分子聚合物等)的化学腐蚀或物理损伤。特别是在处理具有高深宽比结构或纳米级精细图形的晶圆和基板时,我们的去膜液能确保剥离的彻底性和表面的高度洁净度。
我们致力于提供高性能且环保的去膜液产品。圣天迈的去膜液不仅关注剥离效率和材料兼容性,同时也注重产品的环境友好性和操作安全性,部分产品可提供低挥发性、高闪点或不含特定管制化学物质(如NMP等)的环保型选项,以满足日益严格的行业标准和客户需求。
主要应用
- 半导体芯片制造 (前道与后道): - 各类光刻胶(i-line, KrF, ArF, EUV)的去除。 - 离子注入后硬化光刻胶的剥离。 - 等离子体灰化后残留物的最终清洗。 - 晶圆减薄或TSV(硅通孔)工艺中临时键合胶的剥离。
- 平板显示面板 (FPD - LCD/OLED/Micro-LED): - 薄膜晶体管 (TFT) 阵列、彩色滤光片 (CF) 及触控面板 (TSP) 工艺中的光刻胶剥离。 - 有机钝化层或绝缘层显影后光刻胶的去除。
- 印刷电路板 (PCB/FPC) 制造: - 内外层线路图形转移后干膜或湿膜的去除。 - 阻焊层 (Solder Mask) 应用前预处理或不良阻焊层的返工剥离。
- 先进封装 (WLP/Fan-out/SiP): - 再布线层 (RDL)、焊球下金属层 (UBM) 构建过程中的光刻胶去除。 - 临时性覆盖保护层或填充材料的剥离。
- MEMS (微机电系统) 器件制造: - 牺牲层材料的去除,用于释放活动结构。 - 器件结构成型过程中的光刻胶剥离。
- LED、光伏及传感器制造: - 在图形化电极或功能层过程中的光刻胶去除。
产品特点
- 高效剥离能力: 针对不同化学性质的光刻胶(如酚醛树脂基、丙烯酸酯基、环氧树脂基如SU-8等)和不同厚度的膜层,提供优化的剥离速率和彻底的清除效果。
- 卓越的材料兼容性: 通过精确的配方设计,对多种敏感金属(Cu, Al, Ni, Ti, W, Co, Au, Ag等)和非金属(SiO₂, SiNₓ, Low-k介电材料, 玻璃等)基材展现出极低的腐蚀率或完全无腐蚀。
- 高选择性与工艺安全性: 能有效去除目标光刻胶膜层,同时最大限度保护有用的底层结构和材料的完整性,确保工艺流程的稳定与安全。
- 低残留与高清洁度标准: 剥离后基材表面洁净,无可见的有机或无机残留物,符合半导体及高端电子制造对颗粒物和金属离子污染的严格控制要求。
- 长效的浴液寿命与稳定性: 优化的化学配方确保去膜液在使用过程中性能稳定,具有较长的有效工作寿命,从而降低更换频率和生产成本。
- 广泛的工艺适用性: 适用于多种去膜工艺设备,包括传统浸泡式(Batch Type)、喷淋式(Spray Type)、以及单片旋转式(Single Wafer Processing)等。
- 环保与安全设计: 圣天迈积极开发和推广NMP-Free, DMSO-Free等环保型去膜液选项,关注产品的闪点、毒理特性等安全指标,致力于提供更安全、更环保的化学品解决方案。
- 可定制化服务: 能够根据客户的特定应用需求(例如需要去除特殊类型的光刻胶、要求兼容特定的敏感基材、提升剥离速率或改善环保性能等)进行配方调整和定制开发。
规格参数 (典型参考值,具体牌号可能不同)
- 产品系列: 圣天迈 (STMai) 光刻胶去膜液系列
- 外观形态: 通常为无色至淡黄色透明液体 (具体视配方而定)
- 化学体系类型: 全有机型、半有机/半水基型、无机型 (酸性/中性/碱性)
- 核心功能: 光刻胶/干膜/湿膜/保护膜剥离
- 适用光刻胶种类: 各类正性光刻胶、负性光刻胶 (包括g-line, i-line, DUV, EUV, SU-8等)
- 推荐工作温度范围: 常温 (20-25°C) 至中高温 (如 60-90°C),具体取决于产品型号和工艺要求
- 典型剥离速率: 0.1 μm/min 至 >10 μm/min (高度依赖于光刻胶类型、厚度、固化条件及去膜液型号)
- 基材兼容性关注点: 对常见金属 (Cu, Al, Ni, W, Ti等) 及非金属 (Si, SiO2, SiN, Low-K等) 的腐蚀速率控制
- 闪点 (Flash Point): 根据具体产品型号而定,部分产品可提供高闪点 (>60°C) 选项
- 纯度与洁净度: 可提供满足半导体级别要求的超净高纯产品 (例如,金属离子含量控制在ppt级别,颗粒物极低)
- 包装规格: 标准包装有 5L 瓶、20L 桶、200L 桶,采用高洁净度化学品专用容器 (如HDPE, PFA内衬等),也可按需定制。