电子级铬蚀刻液 (Cr Etchant)

产品描述

圣天迈的电子级铬蚀刻液（Cr Etchant）采用高纯度原料和先进生产工艺，确保产品批次间的稳定性和一致性。我们致力于提供环保型蚀刻解决方案，例如广泛应用的硝酸铈铵 [(NH₄)₂Ce(NO₃)₆] 基蚀刻液体系，该体系不含传统工艺中可能存在的六价铬离子 (Cr⁶⁺)，更加符合现代电子制造业对环境保护和操作安全的要求。产品具有优异的蚀刻选择性，能够精确区分铬层与常见的光刻胶掩膜材料以及石英、玻璃等基板材料，有效避免对非目标区域的损伤。此外，通过优化配方，可以实现对不同厚度和特性的铬及氧化铬薄膜（如低反射率氧化铬）的可控蚀刻速率和良好的蚀刻均匀性，确保图形线条的精细度和边缘的陡直度，满足高端光掩模及TFT阵列对关键尺寸 (CD) 控制的严苛标准。我们亦可根据客户的具体工艺需求，提供定制化的配方调整和技术支持服务。

主要应用

• 光掩模 (Photomask) 制造: - 半导体及集成电路 (IC) 光刻工艺中使用的铬版光掩模的图形化蚀刻。 - LCD/OLED平板显示器 (FPD) 制造用大尺寸光掩模的铬层图案化。
• 薄膜晶体管液晶显示器 (TFT-LCD) 制造: - TFT阵列中铬金属栅极 (Cr Gate) 电极的蚀刻。 - 黑色矩阵 (Black Matrix, BM) 中铬或氧化铬层的图形化。
• 有机发光二极管 (OLED) 显示制造: - OLED面板中薄膜封装 (TFE) 或电极层可能涉及的铬层蚀刻。
• 微机电系统 (MEMS) 器件: - MEMS传感器或执行器中用作结构层或掩膜层的铬薄膜图案化。
• 精密光学元件: - 光栅、编码盘等光学器件上精密铬图案的制作。
• 电子封装与互连: - 某些先进封装技术中可能用到的铬粘附层或阻挡层的蚀刻。
• 太阳能电池 (Photovoltaics): - 特定类型太阳能电池中电极或功能层的铬图案化工艺。
• 科学研究与实验室应用: - 高校及科研机构在微纳加工、新材料研究等领域对铬薄膜的定制化蚀刻。

主要特点

• 高纯度与低杂质: 严格控制金属离子和颗粒物含量，满足高端电子制造对材料纯度的要求。
• 环保配方: 主流产品采用硝酸铈铵等不含六价铬的环保体系，减少环境影响和健康风险。
• 优异的蚀刻选择性: 对光刻胶掩膜及石英/玻璃基底具有高选择比，保护非蚀刻区域。
• 可控的蚀刻速率: 通过调整工艺参数（如温度、浓度、搅拌）可精确控制铬层蚀刻速率。
• 良好的蚀刻均匀性: 保证在大面积基板上蚀刻的均匀一致，确保图形精度。
• 高精度图形转移: 实现清晰的蚀刻边缘和精确的线宽控制，满足精细图形化需求。
• 广泛的工艺兼容性: 适用于各种涂胶、曝光、显影后的标准光刻工艺流程。

技术规格

• 产品名称: 电子级铬蚀刻液 (Cr Etchant)
• 外观: 橙红色至黄色澄清液体 (因配方而异)
• 主要成分体系: 硝酸铈铵基或其他环保配方 (不含六价铬)
• 六价铬 (Cr⁶⁺) 含量: 未检出 (符合RoHS)
• 典型蚀刻速率 (Cr): 可根据需求在较宽范围内调整 (例如 10-300 nm/min @ 20-40°C)
• 蚀刻均匀性: ≤ ±5% (典型值，视具体工艺)
• 对石英/玻璃选择比: > 1000:1 (典型值)
• 金属离子总含量: < 1 ppm (可提供更高纯度等级)
• 颗粒控制 (≥0.2µm): < 50 个/mL (可提供更高洁净度等级)
• 推荐工作温度: 20 - 40 °C (可根据工艺调整)
• 保质期: 6-12个月 (请参照具体产品说明书)
• 包装规格: 1L, 4L, 20L, 200L 高纯度HDPE或PFA避光容器

注：以上参数为典型值，具体产品规格请参照相应的产品规格书 (TDS) 和安全数据表 (SDS)。圣天迈可根据客户的具体应用需求提供定制化的铬蚀刻液产品。请联系我们获取详细信息。